MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC

International Rectifier

包装:管件,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:19A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 19A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.25V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):44nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3710pF @ 15V,功率 - 最大值:2.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:8-SO

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